瞬态电压抑制器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610949003.9
IPC分类号：H01L27/04;H01L21/04
申请日期：
2016-10-26
申请人：
上海先进半导体制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	瞬态电压抑制器及其制造方法
申请号	CN201610949003.9	申请日期	2016-10-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-15	公开/公告号	CN106409826A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4查看分类表>
申请人	上海先进半导体制造股份有限公司	申请人地址	上海市徐汇区虹漕路385号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海积塔半导体有限公司,上海先进半导体制造有限公司	当前权利人	上海积塔半导体有限公司,上海先进半导体制造有限公司
发明人	刘峰松;陶有飞;史超
代理机构	上海弼兴律师事务所	代理人	薛琦;罗朗

摘要

本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，所述瞬态电压抑制器的制造方法包括以下步骤：提供P‑型半导体衬底至反应腔室中；在P‑型半导体衬底上注入埋层形成埋层衬底；在埋层衬底上分别刻蚀两个浅沟槽；埋层推进；对埋层衬底进行预吹扫，对反应腔室进行烘烤；用硅源气体和刻蚀气体填充两个浅沟槽；生长高阻本征外延层；在埋层衬底上注入掺杂依次形成第一P+区、N+区以及第二P+区；在N+区与两个浅沟槽之间分别刻蚀两个深沟槽；在深沟槽内填充二氧化硅，并完成金属布线工艺。与现有技术相比，本发明实现了沟槽的二次隔离，有效地抑制了埋层的扩散，从而保证了衬底表面外延层的电阻率，进而降低了TVS的电容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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