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具有高电阻率性质的低成本基材及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200980115135.X
IPC分类号：H01L21/20
申请日期：
2009-05-21
申请人：
硅绝缘体技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有高电阻率性质的低成本基材及其制造方法
申请号	CN200980115135.X	申请日期	2009-05-21
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102017075A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	硅绝缘体技术有限公司	申请人地址	法国伯涅尼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅绝缘体技术有限公司	当前权利人	硅绝缘体技术有限公司
发明人	卡洛斯·马祖拉;比什-因·阮
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	丁香兰;庞东成

摘要

在一个实施方式中，本发明提供的基材构造为使得在其顶层中制造的装置与在标准的高电阻率基材中制造的相同装置具有类似的性质。本发明的基材包括具有标准电阻率的支持体、布置在所述支持体基材上的具有优选为大于约1000Ohm-cm的高电阻率的半导体层、布置在所述高电阻率层上的绝缘层和布置在所述绝缘层上的顶层。本发明也提供制造所述基材的方法。

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