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一种原位合成α-Bi2O3/CuBi2O4异质结光催化材料的制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010270726.2
  • IPC分类号:B01J23/843;B01J37/10;B01J37/08;B01D53/86;B01D53/56
  • 申请日期:
    2020-04-08
  • 申请人:
    西安交通大学;中国科学院地球环境研究所
著录项信息
专利名称一种原位合成α-Bi2O3/CuBi2O4异质结光催化材料的制备方法及应用
申请号CN202010270726.2申请日期2020-04-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-07-17公开/公告号CN111420668A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J23/843IPC分类号B;0;1;J;2;3;/;8;4;3;;;B;0;1;J;3;7;/;1;0;;;B;0;1;J;3;7;/;0;8;;;B;0;1;D;5;3;/;8;6;;;B;0;1;D;5;3;/;5;6查看分类表>
申请人西安交通大学;中国科学院地球环境研究所申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学,中国科学院地球环境研究所当前权利人西安交通大学,中国科学院地球环境研究所
发明人饶永芳;陈倩;黄宇
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人朱海临
摘要
本发明公开了一种原位合成α‑Bi2O3/CuBi2O4异质结光催化材料的制备方法及应用,并将其应用于光催化去除氮氧化物。通过CuBi2O4纳米颗粒原位生长在类棒状α‑Bi2O3上而形成的α‑Bi2O3/CuBi2O4异质结光催化材料具有紧密的界面接触,有利于减少光生载流子的传输阻力。当煅烧温度为400℃时获得的α‑Bi2O3/CuBi2O4异质结在可见光下30min内对NO的去除率高达30%,比纯相α‑Bi2O3和P25分别提高了13%和15%,同时几乎没有有毒副产物NO2的生成。在光催化去除NO中表现出较高的催化活性和稳定性。因此,原位合成的α‑Bi2O3/CuBi2O4异质结光催化材料是高效、稳定、成本低廉、易于制备和低毒性的光催化剂,在光催化净化空气方面具有潜在的应用价值。

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