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一种用于测试门极电流的功率半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202021616431.8
  • IPC分类号:G01R19/00;H01L29/74;H01L29/423;H01L29/417
  • 申请日期:
    2020-08-06
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种用于测试门极电流的功率半导体器件
申请号CN202021616431.8申请日期2020-08-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R19/00IPC分类号G;0;1;R;1;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;4;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区清华园1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人赵彪;周文鹏;曾嵘;余占清;陈政宇;刘佳鹏
代理机构北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张陆军
摘要
本实用新型公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件,包括功率半导体芯片和管壳,所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极,所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区,所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接;所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环,并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置;所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽,所述多个方形槽中均设置有门极引出条,以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流,从而达到测量的目的。

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