多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920272438.X
IPC分类号：C01B33/021;C01B33/023;C01B33/03
申请日期：
2009-11-16
申请人：
乐山乐电天威硅业科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置
申请号	CN200920272438.X	申请日期	2009-11-16
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/021 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;1;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2;3;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3查看分类表>
申请人	乐山乐电天威硅业科技有限责任公司	申请人地址	四川省乐山市高新技术开发区乐高大道6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	乐山乐电天威硅业科技有限责任公司	当前权利人	乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
发明人	唐前正;张新;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤
代理机构	成都虹桥专利事务所	代理人	杨冬

摘要

本实用新型公开了一种可缩短还原炉启、停炉用时的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置。该装置包括抽真空装置，抽真空装置通过连接管道与还原炉的尾气出口连接，还原炉的尾气出口与所述连接管道之间设置有排气阀，所述抽真空装置的极限真空度≤0.06MPa。本实用新型以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停炉阶段的还原炉进行处理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，既缩短了处理时间，提高了工作效率，同时也提高了安全性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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