一种薄膜及其制备方法、发光显示器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201310381468.5
IPC分类号：H01L51/52;H01L51/56
申请日期：
2013-08-28
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

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专利名称	一种薄膜及其制备方法、发光显示器件
申请号	CN201310381468.5	申请日期	2013-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-08	公开/公告号	CN103500804A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
发明人	王祖强;刘政
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种薄膜，以解决现有工艺制备的薄膜的微针孔较多，该薄膜用于显示器的发光显示器件时，影响器件稳定性的发光效率的问题。所述薄膜包括形成于基板之上的第一膜层，以及形成于所述第一膜层与所述基板之间且与所述第一膜层直接接触的第二膜层；与所述第一膜层接触的所述第二膜层的表面经过活化处理。本发明实施例提供的薄膜，由于与第一膜层接触的第二膜层的表面经过活化处理，其表面能增加，在此基础上形成的第一膜层具有较高的致密性，减小了产生微针孔的概率。本发明实施例还提供一种薄膜的制备方法和发光显示器件。

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