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一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710375865.X
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/09
  • 申请日期:
    2017-05-25
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用
申请号CN201710375865.X申请日期2017-05-25
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2017-10-13公开/公告号CN107248538A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;9查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人唐江;巫皓迪;牛广达;潘伟程;罗家俊;尹力骁
代理机构华中科技大学专利中心代理人许恒恒;李智
摘要
本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用,其中该后处理方法包括以下步骤:对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理,然后冷却,接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理,从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率,降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进,与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题,并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。

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