一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610486891.5
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2016-06-28
申请人：
山东天岳先进材料科技有限公司

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专利名称	一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置
申请号	CN201610486891.5	申请日期	2016-06-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-26	公开/公告号	CN106048729A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	山东天岳先进材料科技有限公司	申请人地址	山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东天岳先进科技股份有限公司	当前权利人	山东天岳先进科技股份有限公司
发明人	于国建;宗艳民;宋生;梁庆瑞
代理机构	济南舜源专利事务所有限公司	代理人	苗峻;孙亚琳

摘要

本发明公开了一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置。其包括真空腔体、设置在真空腔体内的生长室和加热器，真空腔体主要由依次密封连接的上盖、侧壁、下盖组成，其特征是：真空腔体的上盖、侧壁、下盖均为不锈钢材质，并均为中空结构，所述上盖、侧壁、下盖上均分别设有冷却水进水口和冷却水回水口，生长室的外部包覆有保温隔热材料，加热器为圆筒状结构并位于保温隔热材料的外侧，加热器与生长室同轴设置，加热器为电阻加热器，真空腔体上设有与真空系统连接的抽气口和与保护气体连接的进气口。本发明采用电阻加热器进行加热，加热均匀，可以提高温度控制的精确度，并且，本发明加工容易，温场尺寸不受限制，特别适合大尺寸碳化硅单晶的生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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