用于高性能逻辑电路的全环栅模块化互连

发明专利有效专利

申请号：
CN202011202036.X
IPC分类号：H01L23/538H01L27/02H01L27/06H01L27/07H01L27/092H01L27/11582H01L29/06H01L29/16H01L29/417H01L29/423H01L29/51H01L29/775H01L29/78H01L29/786H01L29/792H01L21/768H01L21/8238H01L21/336H01L21/335B82Y40/00
申请日期：
2016-06-30
申请人：
意法半导体公司

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著录项信息

专利名称	用于高性能逻辑电路的全环栅模块化互连
申请号	CN202011202036.X	申请日期	2016-06-30
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-02-02	公开/公告号	CN112310042A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/538 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/538 制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构〔5〕	IPC分类号	H01L23/538;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/092;H01L27/11582;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/792;H01L21/768;H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/335;B82Y40/00查看分类表>
申请人	意法半导体公司	申请人地址	美国得克*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体公司	当前权利人	意法半导体公司
发明人	J·H·张
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	崔卿虎

摘要

一种模块化互连结构促进由竖直GAAFET构建复杂还紧凑的集成电路。该模块化互连结构包括到晶体管端子的环形金属触点、径向地从竖直纳米线向外延伸的堆叠盘的扇区、以及采用杆形式的过孔。安装到径向扇区互连的延伸接片准许从每个晶体管端子扇出信号。通过线性区段联接相邻互连。不像常规的集成电路，如在此所描述的模块化互连与晶体管同时形成。竖直GAA与非门和或非门提供用于创建所有类型的逻辑门以实施任何期望的布尔逻辑函数的构建块。该模块化互连结构使得堆叠的竖直GAAFET成为可能。该模块化互连结构准许使用标准的CMOS工艺在硅衬底上集成各种专用竖直GAA器件。

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发明授权

用于高性能逻辑电路的全环栅模块化互连

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