高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板

发明专利有效专利

申请号：
CN201811640748.2
IPC分类号：G02F1/13;G02F1/1333
申请日期：
2018-12-29
申请人：
武汉华星光电技术有限公司

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专利名称	高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
申请号	CN201811640748.2	申请日期	2018-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-30	公开/公告号	CN109696759A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/13 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3查看分类表>
申请人	武汉华星光电技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉华星光电技术有限公司	当前权利人	武汉华星光电技术有限公司
发明人	艾飞;陆鹏;罗成志
代理机构	深圳翼盛智成知识产权事务所（普通合伙）	代理人	黄威

摘要

本发明公开一种高穿透性液晶显示面板制造方法，包括：折射率渐变层形成步骤、栅极绝缘层形成步骤、第一层间绝缘层形成步骤以及第二层间绝缘层形成步骤。所述折射率渐变层形成步骤包括沉积氮化硅层到玻璃基板上，接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上，其中所述折射率渐变层以氧化硅制造，且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层，所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减，所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上。本发明可降低光在多膜层间的反射率，从而提升显示面板的透光性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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