二氧化钛纳米棒染料敏化太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710176034.6
IPC分类号：H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01G9/20;H01G9/04;H01G9/042;H01G9/048;H01M14/00
申请日期：
2007-10-18
申请人：
清华大学;北京索尔泰克能源技术研究所

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著录项信息

专利名称	二氧化钛纳米棒染料敏化太阳能电池及其制备方法
申请号	CN200710176034.6	申请日期	2007-10-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-12	公开/公告号	CN101140957
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;G;9;/;0;4;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;0;4;8;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;北京索尔泰克能源技术研究所	申请人地址	北京市海淀区清华园;北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,北京索尔泰克能源技术研究所	当前权利人	清华大学,北京索尔泰克能源技术研究所
发明人	邱勇;马玉涛;王立铎;吴骅
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	沈波

摘要

二氧化钛纳米棒染料敏化太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造技术领域。由光阳极、电解质溶液和对电极三部分组成，其特征在于：所述光阳极依次包括与导电基底紧密接触的第一层、与第一层接触的第二层。其中第一层是由粒径2～5nmTiO2微粒组成的致密TiO2薄膜层；第二层是由粒径5～60nm的TiO2小颗粒与直径6～11nm、长度90～450nm的纳米棒组成的纳米棒TiO2薄膜层，在红光及近红外波段(600～900nm)镜面透射光强度显著减弱，漫透射光强度增大。第一层的厚度为5～15nm，第二层的厚度为2～12微米。该种染料敏化太阳能电池光散射性能高，而且具有制备方法简单、操作简便的特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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