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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110643596.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/762
  • 申请日期:
    2021-06-09
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN202110643596.7申请日期2021-06-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-14公开/公告号CN113394268A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人赵宇航;胡胜;杨帆
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人田婷
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:提供具有器件区的第一晶圆,第一晶圆包括衬底和形成于衬底正面的器件层;开设沟槽于器件区的衬底背面中;形成第一绝缘介质层于沟槽的内表面和器件区的衬底背面;填充保护层于沟槽中;形成第一开口于器件区的衬底背面上的第一绝缘介质层中,第一开口暴露出保护层和沟槽开口外围的器件区的部分的衬底背面;去除保护层;形成粘合层至少于第一开口暴露出的沟槽开口外围的器件区的部分衬底背面;以及,填充金属层于沟槽和第一开口中。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题,提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。

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