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有机半导体元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810210020.6
  • IPC分类号:H01L51/50;H01L51/42
  • 申请日期:
    2002-12-05
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称有机半导体元件
申请号CN200810210020.6申请日期2002-12-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-04-01公开/公告号CN101399320
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县厚木市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张雪梅;王小衡
摘要
本发明涉及一种有机半导体元件。通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构,而不使用常规超薄薄膜,提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。

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