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晶圆级转接板的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110033791.4
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/60
  • 申请日期:
    2011-01-31
  • 申请人:
    江阴长电先进封装有限公司
著录项信息
专利名称晶圆级转接板的制备方法
申请号CN201110033791.4申请日期2011-01-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-08-17公开/公告号CN102157438A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人江阴长电先进封装有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江阴长电先进封装有限公司当前权利人江阴长电先进封装有限公司
发明人张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉
代理机构江阴市同盛专利事务所(普通合伙)代理人唐纫兰
摘要
本发明涉及一种晶圆级转接板的制备方法,属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤:取载体圆片;、在载体圆片上上溅射或者化学镀上金属导电层;在金属导电层上形成掩膜图形开口;在掩膜图形开口内填充金属;在载体圆片表面形成金属柱阵列;将转接板基体材料填满整个载体圆片的金属柱阵列,形成带有金属柱阵列的圆片;将的圆片与载体圆片脱离;腐蚀掉圆片上的金属导电层;在圆片的二表面形成金属再布线图形,并加以保护和形成金属再布线保护层及开口图形。本发明晶圆级转接板的制备方法,可极大程度的降低工艺难度和工艺成本,可实现高密度转接板技术的规模化生产。

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