一种从锡铝合金表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510789340.1
IPC分类号：C30B1/02;C30B29/02
申请日期：
2015-11-17
申请人：
中国科学院金属研究所

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专利名称	一种从锡铝合金表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法
申请号	CN201510789340.1	申请日期	2015-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-30	公开/公告号	CN105442035A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B1/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B1/00 直接自固体的单晶生长（共析材料的定向分层入C30B 3/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B1/02 热处理法，例如应变退火（C30B 1/12优先）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	李财富;刘志权
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	许宗富;周秀梅

摘要

本发明公开了一种从锡铝合金表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法，可以实现单晶锡纳米线/微米线直径和长度尺寸的可控制备，属于金属纳米材料制备领域。该方法以锡铝合金为原材料，通过冶炼、高温存放等过程，制备出直径和长度可控的单晶锡纳米线/微米线。该方法可以通过调节合金的微观结构尺寸来实现不同直径锡纳米线/微米线的制备，直径范围为10nm～20μm；可以通过调节高温存放条件来实现不同长度锡纳米线/微米线的制备，长度范围为100nm～2mm。本发明突破了纳米线制备的常用化学方法，省去了模板的制备和溶解等复杂的工艺过程，制备过程简单，为单晶锡纳米线/微米线的可控制备提供了一种新的方法。

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