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具有沟槽侧面的引线框架

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201420120155.4
  • IPC分类号:H01L23/495
  • 申请日期:
    2014-03-17
  • 申请人:
    吉林华微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称具有沟槽侧面的引线框架
申请号CN201420120155.4申请日期2014-03-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/495IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人吉林华微电子股份有限公司申请人地址
吉林省吉林市深圳街99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林华微电子股份有限公司当前权利人吉林华微电子股份有限公司
发明人王林祥;郭宁
代理机构长春菁华专利商标代理事务所代理人陶尊新
摘要
具有沟槽侧面的引线框架属于半导体器件技术领域。现有技术存在的问题有:1.防水槽深度只有0.05~0.10毫米,如果加深则会导致芯片部、连接部的平整度下降,深度过浅的防水槽阻断效果较差;2.V字形防水槽占用部分芯片部面积,使芯片的尺寸受到限制;3.封装料与引线框架的结合强度较低。本实用新型之具有沟槽侧面的引线框架在散热固定部与芯片部之间的连接部正面设有横贯左右的矩形防水槽,其特征在于,在连接部正面以及芯片部两侧边缘的正面、背面分布网状压痕;在芯片部两侧侧面沿边缘走向分布V字形深槽;中间管脚与芯片部连接部分的正面表面低于芯片部正面表面。应用于采用TO-220引线框架的半导体器件的制造领域。

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