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一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010565725.7
IPC分类号：C30B29/46;C30B13/00
申请日期：
2010-11-30
申请人：
江西纳米克热电电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法
申请号	CN201010565725.7	申请日期	2010-11-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102108554A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	江西纳米克热电电子股份有限公司	申请人地址	江西省南昌市高新开发区江钢工业区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西纳米克热电电子股份有限公司	当前权利人	江西纳米克热电电子股份有限公司
发明人	郑俊辉;陈果;郑艳丽;张卫华
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司	代理人	施秀瑾

摘要

本发明公开一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长、退火，得到p型碲化铋基热电半导体晶棒。在30~300℃下，平均ZT值达0.75以上。所使用的原料廉价易得、无毒环保、设备工艺简单、能耗低、产量大、可大规模工业化生产。

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