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一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910083500.5
  • IPC分类号:H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00
  • 申请日期:
    2009-05-06
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件
申请号CN200910083500.5申请日期2009-05-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-11-10公开/公告号CN101882628A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/24IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人刘明;左青云;龙世兵
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明涉及微电子器件及存储器技术领域,公开了一种与CMOS工艺兼容的用于交叉阵列结构存储器的整流器件,包括:上电极、下电极以及包含在上电极与下电极之间的功能层薄膜。本发明的整流器件能够提供更高的电流密度,与存储器器件串联后形成的1D1R结构能抑制交叉阵列结构存储器中的串扰现象。本发明的用于交叉阵列结构存储器的整流器件器件具有结构简单,易集成,成本低的优点,有利于本发明的广泛推广和应用。

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