用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910163239.X
IPC分类号：C23C14/46;H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00
申请日期：
2009-12-25
申请人：
云南大学

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专利名称	用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法
申请号	CN200910163239.X	申请日期	2009-12-25
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101748374A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/46 用外部离子源产生的离子束法（C23C 14/40优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	云南大学	申请人地址	云南省昆明市五华区翠湖北路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	云南大学	当前权利人	云南大学
发明人	杨宇;王茺;熊飞;杨杰;张学贵;李亮
代理机构	昆明今威专利代理有限公司	代理人	杨宏珍

摘要

本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，工作室本底真空度小于3.0×10-4Pa，束流电压为0.5KV～1.1KV，生长束流为4mA～15mA的条件下，在硅基底材料上当生长温度为700℃～800℃时生长了一层Si缓冲层，然后在600℃～750℃的温度范围内自组织生长单层Ge量子点。该方法有效解决了低温和大溅射速率下离子束溅射技术制备量子点材料存在的可控性差、高宽比低、需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性的不足，获得了高密度、小尺寸、尺寸均匀、大高宽比的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，因此是制备量子点的一种简易而高效的方法。

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