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一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210457002.4
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-11-14
  • 申请人:
    东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
著录项信息
专利名称一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法
申请号CN201210457002.4申请日期2012-11-14
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-02-20公开/公告号CN102938434A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东方环晟光伏(江苏)有限公司,环晟光伏(江苏)有限公司当前权利人东方环晟光伏(江苏)有限公司,环晟光伏(江苏)有限公司
发明人黄仑;卢春晖;吴俊清;史孟杰;王丹萍
代理机构南京天华专利代理有限责任公司代理人夏平
摘要
本发明公开一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法,其特征在于包括以下步骤:将已制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管,加热时通入氮气,持续特定时间稳定反应腔内氛围后通入氮气、湿氧、氮气携带的液态三氯氧磷后进行沉积,完成后停止氮气、三氯氧磷供给,继续通入湿氧,然后提高加热温度,进一步氧化,结束氧化后通入氮气进行冷却。本发明方法制作的二氧化硅膜提高了掩膜的结构致密性和均匀性,有效阻挡二次磷原子的扩散。

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