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一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210169975.8
  • IPC分类号:H01L33/10
  • 申请日期:
    2012-05-29
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法
申请号CN201210169975.8申请日期2012-05-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709419A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/10IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市四牌楼2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人张雄,郭浩,韩乐,崔一平
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明提供了一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法,该发光二极管包括衬底(1),生长在衬底(1)上的具有第一光栅结构的介质薄膜层(2),与介质薄膜层(2)键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层(3),生长在p型GaN外延层(3)上的InGaN多量子阱有源发光层(4)和生长在InGaN多量子阱有源发光层(4)上的n型GaN外延层(5),其中,第一光栅结构与第二光栅结构以0~90°之间的任一交叉角度键合在一起,构成交叉光栅结构。本发明有效提高发光二极管的出光效率,有利于进一步提高发光二级管的光提取效率和导热性能。

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