硅光子晶圆的打点标记方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010493082.3
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/67;H01L23/544
申请日期：
2020-06-03
申请人：
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

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专利名称	硅光子晶圆的打点标记方法及装置
申请号	CN202010493082.3	申请日期	2020-06-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111755341A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	武汉光谷信息光电子创新中心有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉光谷信息光电子创新中心有限公司	当前权利人	武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
发明人	冯朋;肖希;刘敏;吴定益
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	崔晓岚;张颖玲

摘要

本公开是关于一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。该方法包括：确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。通过本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式，对失效芯片进行打点标记，在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记，从而实现通过针痕标记的不同区分出失效芯片不同的失效模式，探针标记操作简单、使用方便，可快速高效的标记出失效芯片的失效模式。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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