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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110095110.7
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/40
  • 申请日期:
    2011-04-15
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201110095110.7申请日期2011-04-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-10-19公开/公告号CN102222689A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本埼玉县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人町田修;岩渕昭夫
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;黄纶伟
摘要
本发明提供一种半导体装置,其能够在提升面积使用效率的同时,维持晶体管(T)的特性,还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段,半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供