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能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201610071720.6
IPC分类号：H01L33/40
申请日期：
2016-02-02
申请人：
厦门乾照光电股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构
申请号	CN201610071720.6	申请日期	2016-02-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105552191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;0查看分类表>
申请人	厦门乾照光电股份有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔岳路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门乾照光电股份有限公司	当前权利人	厦门乾照光电股份有限公司
发明人	陈亮;李俊贤;吴奇隆;魏振东;刘英策;李小平;邬新根;黄新茂;蔡立鹤;吕奇孟;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足
代理机构	扬州市锦江专利事务所	代理人	江平

摘要

能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。

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