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一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611235115.4
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2016-12-28
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
著录项信息
专利名称一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法
申请号CN201611235115.4申请日期2016-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-10公开/公告号CN106653947A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司申请人地址
天津市西青区海泰工业园华科七路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十八研究所,天津恒电空间电源有限公司当前权利人中国电子科技集团公司第十八研究所,天津恒电空间电源有限公司
发明人许军;铁剑锐;韩志刚;陈洁
代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司代理人刘昕
摘要
本发明提供一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法,包括对划片后的半成品太阳电池进行以下步骤:a.GaInP子电池边缘湿法腐蚀钝化;b.Cap层腐蚀及GaInAs子电池边缘湿法腐蚀钝化;c.蒸镀减反射膜同时对太阳电池的侧截面进行介质膜沉积钝化。该钝化工艺可有效解决ⅢⅤ族多结太阳电池划片后边缘引入大量缺陷造成的光生电流复合损失,提高三结砷化镓太阳电池的光电转换效率。

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