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等离子体增强化学气相沉积设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201380050283.4
IPC分类号：C23C16/50;C23C16/44
申请日期：
2013-09-25
申请人：
BMC股份有限公司;洪性喆;李万镐

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法律信息

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著录项信息

专利名称	等离子体增强化学气相沉积设备
申请号	CN201380050283.4	申请日期	2013-09-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-08	公开/公告号	CN104769156A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	BMC股份有限公司;洪性喆;李万镐	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	BMC股份有限公司,洪性喆	当前权利人	BMC股份有限公司,洪性喆
发明人	洪性喆;李万镐
代理机构	北京市铸成律师事务所	代理人	郝文博

摘要

公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备。该等离子体增强化学气相沉积设备包括一对被布置为面对彼此的磁场生成单元，两者之间具有间隙；一对对立电极，其被布置为在该对磁场生成单元之间面对彼此；气体供给单元，其被配置为将反应气体供给到该对对立电极之间的空间内；以及前驱物供给单元，其被配置为将前驱物供给到对对立电极之间的空间内。对立磁场可以被形成在该对磁场生成单元之间。

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