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一种二维纳米电极材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610521339.5
  • IPC分类号:H01L31/0224
  • 申请日期:
    2016-07-05
  • 申请人:
    济南大学
著录项信息
专利名称一种二维纳米电极材料的制备方法
申请号CN201610521339.5申请日期2016-07-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-23公开/公告号CN106145192A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人济南大学申请人地址
山东省济南市南辛庄西路336号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南大学当前权利人济南大学
发明人史御书;张国庆;郑娜;张勇
代理机构济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)代理人李茜
摘要
本发明公开了一种无贵金属掺杂、成本低、制备简单、光电活性高的二维纳米电极材料的制备方法。该方法在铜插层的二硫化钼纳米片上原位复合铜掺杂的二氧化钛纳米片材料,一锅法制备了铜掺杂二氧化钛纳米方块原位复合二硫化钼的二维纳米复合材料Cu‑TiO2/MoS2。所制备的Cu‑TiO2/MoS2可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光催化水分解制氢、光催化降解有机污染物等领域。本发明属于新型纳米功能材料与绿色能源技术领域。

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