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一种砷化镓PIN二极管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610112885.X
  • IPC分类号:H01L29/868;H01L21/329
  • 申请日期:
    2006-09-06
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
申请号CN200610112885.X申请日期2006-09-06
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2008-03-12公开/公告号CN101140955
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/868
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市东城区大取灯胡同2号4号楼1层108室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京中科微投资管理有限责任公司当前权利人北京中科微投资管理有限责任公司
发明人杨浩;张海英;吴茹菲
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明公开了一种GaAs PIN二极管,该GaAs PIN二极管包括用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底;在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N+层,在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P+层;通过采用湿法刻蚀,所述高掺杂N+层、高阻I层和P+层的面积依次减小形成台面结构;在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极;在N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAsPIN二极管的制作方法。利用本发明,不增加工艺难度的前提下有效降低了PIN二极管的寄生电容,同时,连接上电极的微带线大大缩短,由其引入的寄生电感可以大幅减小,甚至可以忽略,无需使用空气桥工艺,制作简便,能够获得更好的高频特性,且易于实现单片集成。

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