进入ASRAM芯片内部测试模式的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110158151.6
IPC分类号：G11C29/12
申请日期：
2011-06-14
申请人：
芯成半导体（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	进入ASRAM芯片内部测试模式的方法
申请号	CN201110158151.6	申请日期	2011-06-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-19	公开/公告号	CN102831934A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人	芯成半导体（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区松涛路647弄12号-13号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芯成半导体（上海）有限公司	当前权利人	芯成半导体（上海）有限公司
发明人	童明照
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	朱群英

摘要

本发明公开了一种进入ASRAM芯片内部测试模式的方法，包括：步骤一，当ASRAM芯片的写周期使能脚输入一个低电平时，在ASRAM芯片的读周期输出使能脚输入2个以上连续的下降沿，且下降沿的同时在地址线上对应有连续的代码，同时所述代码和预定义在所述ASRAM芯片上的验证代码一致时，启动内部测试模式的使能信号，内部测试模式窗口打开；步骤二，在随后读周期输出使能脚输入上升沿时，锁存同时在所述地址线上输入的测试模式代码，并根据所述测试模式代码触发进入具体测试模式。本发明的方法，利用ASRAM芯片本身现有的pin脚，通过代码触发进入内部测试模式，降低了产品测试的难度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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