一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910937843.7
IPC分类号：H01L33/40;H01L33/00
申请日期：
2019-09-30
申请人：
长安大学

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著录项信息

专利名称	一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法
申请号	CN201910937843.7	申请日期	2019-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-14	公开/公告号	CN110797445A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	长安大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔区二环南路中段126号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长安大学	当前权利人	长安大学
发明人	段理;魏星;郭婷婷;王昭
代理机构	西安恒泰知识产权代理事务所	代理人	孙雅静

摘要

本文公开了一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。本发明制备的双层石墨烯膜LED电极材料具有优良的导热特性、透光特性和导电特性，具有很好的透光特性，适合用于作为发光面的大面积电极，进一步增强了电流传导能力。制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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