一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110253989.7
IPC分类号：H01L31/0203;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-03-04
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器的制备方法
申请号	CN202110253989.7	申请日期	2021-03-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113035965A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0203 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0203 容器；封装（用于光伏器件入H01L31/048；用于有机光敏器件入H01L51/44）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;0;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	黄文;唐雨晴;龚天巡;林媛;张晓升
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法，该传感器采用PI薄膜作为基底，ITO作为电极，禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为：首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极，再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片，并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上，形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间)，结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低，且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性，相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景，且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性，此类光电探测器具有良好的光电探测性能，可实现良好的光电探测效果。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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