一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710535442.X
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/08
申请日期：
2017-06-23
申请人：
郑州科技学院

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专利名称	一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法
申请号	CN201710535442.X	申请日期	2017-06-23
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-11-17	公开/公告号	CN107354440A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人	郑州科技学院	申请人地址	河南省郑州市二七区马寨工业园学院路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郑州科技学院	当前权利人	郑州科技学院
发明人	郭禧斌
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法，该方法所用的设备包括石英管、电炉、真空泵、脉冲激光发生器、反射镜和分光镜；由激光脉冲发生器发射的激光脉冲束，依次通过反射镜和分光镜，成为两束脉冲激光束，可以同时分别轰击不同的靶材。在此设备的基础上，利用利用脉冲激光沉积技术制备ATO薄膜时，不需要预先准备掺杂烧结靶材，而是同时对两个靶材进行轰击，节约了现有制备ATO薄膜的工序。并且，通过合理设定两束脉冲激光束的能量比，保证了Sb掺杂量的稳定和准确。得到的ATO薄膜，其Sb元素分布均匀、结晶度高、结构均匀性好，具有良好的透光导电性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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