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具有纳米结构和纳米金属光学腔和天线的发光二极管，快光子-电子源和光电探测器，以及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201280066178.5
IPC分类号：H01L33/36;H01L33/04;H01L29/86
申请日期：
2012-11-05
申请人：
普林斯顿大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有纳米结构和纳米金属光学腔和天线的发光二极管，快光子-电子源和光电探测器，以及其制造方法
申请号	CN201280066178.5	申请日期	2012-11-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-24	公开/公告号	CN104247054A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6查看分类表>
申请人	普林斯顿大学	申请人地址	美国新泽西州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普林斯顿大学	当前权利人	普林斯顿大学
发明人	斯蒂文·Y·周;其他请求不公开姓名
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	杨生平;钟锦舜

摘要

一种非常薄且高效率的光电器件，这种光电器件利用了具有亚波长孔阵的表面等离子体激元模腔，并且实现了多种实际应用，包括发光二极管(LED)，新光电子源，和新的光电探测器。它们都包含了一个光子谐振腔，这个腔有顶部透光的金属层，底部金属层和一个夹在这两层中间的半导体层。

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