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高光效CMOS图像传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110067793.5
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2011-03-21
  • 申请人:
    香港应用科技研究院有限公司
著录项信息
专利名称高光效CMOS图像传感器
申请号CN201110067793.5申请日期2011-03-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-01-25公开/公告号CN102332457A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人香港应用科技研究院有限公司申请人地址
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人香港应用科技研究院有限公司当前权利人香港应用科技研究院有限公司
发明人罗佩璁;杨丹;史训清
代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司代理人江耀纯
摘要
本发明提供一种高光效CMOS图像传感器。由于光电二极管的高填充率和高效的光隔离,可不需要集成微透镜。每个传感器包括多个成像像素,每个像素包括在半导体基板上的一个光电二极管结构,该光电二极管结构靠近图像传感器的光入射面。光隔离栅格围住每个光电二极管结构,并设定像素边界。光隔离栅格延伸的深度最少为光电二极管结构的厚度,避免入射光穿过入射像素而进入到相邻像素。一个正扩散柱塞垂直延伸穿过一部分光电二极管结构。一个负扩散柱塞垂直延伸到半导体基板内,使光电二极管里产生的电荷可转移到半导体基板内的一个电荷收集区域。位于光电二极管下方的像素电路控制到图像读取电路的电荷转移。

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