RPECVD的多室沉积系统

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821892232.2
IPC分类号：C23C16/513;C23C16/54
申请日期：
2018-11-16
申请人：
黄剑鸣

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著录项信息

专利名称	RPECVD的多室沉积系统
申请号	CN201821892232.2	申请日期	2018-11-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/513 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕 C23C16/513 采用等离子流〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;1;3;;;C;2;3;C;1;6;/;5;4查看分类表>
申请人	黄剑鸣	申请人地址	中国香港新界大埔浅月湾2期11號屋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黄剑鸣	当前权利人	黄剑鸣
发明人	范继良
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	林丽明

摘要

本实用新型公开一种RPECVD的多室沉积系统，包括待RPECVD气相沉积的基体、供基体从大气区域进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉积的沉积室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉积室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉积室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器，其中变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘，所述圆盘还设有调整方向的平行滚轮滑道，所述滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。本实用新型通过进出室、沉积室、过渡室和交换室构成多室沉积系统，以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉积。

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