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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202180001601.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
  • 申请日期:
    2021-04-12
  • 申请人:
    英诺赛科(苏州)科技有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN202180001601.2申请日期2021-04-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-17公开/公告号CN113272970A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人英诺赛科(苏州)科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英诺赛科(苏州)科技有限公司当前权利人英诺赛科(苏州)科技有限公司
发明人胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉
代理机构深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王琴;曹玉存
摘要
一种氮基半导体器件,包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导体层上。第一电极、掺杂的氮基半导体层、栅极电极以及第二电极设置于第二氮基半导体层上。每一掺杂的氮基半导体层具有背向第二电极且与界面隔开的侧表面。

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