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通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510155606.7
  • IPC分类号:H01L29/40;H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2015-04-02
  • 申请人:
    万国半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接
申请号CN201510155606.7申请日期2015-04-02
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-11-11公开/公告号CN105047697A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/40IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人万国半导体股份有限公司申请人地址
加拿大安大略省 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万国半导体国际有限合伙公司当前权利人万国半导体国际有限合伙公司
发明人李亦衡;雷燮光;金钟五;常虹;马督儿·博德;管灵鹏;哈姆扎·耶尔马兹
代理机构上海申新律师事务所代理人吴俊
摘要
一种通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接。本发明提出了一种在分裂栅极沟槽晶体管器件中的接触结构,用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体衬底以及形成在半导体衬底中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁,沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极,在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中,以便连接顶部电极和底部电极。

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