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用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层

发明专利有效专利

申请号：
CN201210411732.0
IPC分类号：H01L29/06;H01L21/20;H01L21/02
申请日期：
2012-10-24
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层
申请号	CN201210411732.0	申请日期	2012-10-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-29	公开/公告号	CN103545348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈祈铭;邱汉钦;喻中一;蔡嘉雄
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。

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