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带有半导体衬底和测试结构的半导体产品及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610059988.4
  • IPC分类号:H01L27/04;H01L23/544
  • 申请日期:
    2006-01-20
  • 申请人:
    因芬尼昂技术股份公司
著录项信息
专利名称带有半导体衬底和测试结构的半导体产品及方法
申请号CN200610059988.4申请日期2006-01-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-08-16公开/公告号CN1819199
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/04IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人因芬尼昂技术股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人因芬尼昂技术股份公司当前权利人因芬尼昂技术股份公司
发明人A·费尔伯;S·拉亨曼;V·罗斯科普夫;S·苏克曼-普勒霍菲
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;李丙林
摘要
本发明涉及带测试结构(5)的半导体产品(1),其中接触端子(17)短接晶体管(10)的通过掺杂物质扩散区(15)与沟槽电容器(30)的内部电容器电极(31)连接的那个源极/漏极区(11)和印制导线(16)。于是可以通过电气测量确定掺杂物质扩散区(15)、即所谓的“埋带”的欧姆电阻,而不会由于晶体管沟道的欧姆电阻使测量结果失真。根据具有电容器电极(31)的多个电气连接端子的本发明扩展方案,还可以引导静态电流通过埋带和电容器电极(31)。本发明能够实现对半导体晶片的测试结构进行在存储单元区自身的存储单元上不能执行的电气电阻测量。

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