一种激光薄膜及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201711177793.4
IPC分类号：--
申请日期：
2017-11-21
申请人：
中国工程物理研究院激光聚变研究中心

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著录项信息

专利名称	一种激光薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN201711177793.4	申请日期	2017-11-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-27	公开/公告号	CN107966750A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	申请人地址	四川省成都市武侯区科园一路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	当前权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人	卫耀伟;许乔;张清华;王建;王震;吴倩;张飞;潘峰
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李进

摘要

本发明提供一种激光薄膜及其制备方法和应用，涉及光学薄膜技术领域。一种激光薄膜的制备方法，包括：以HfCl4和SiCl4作为前驱体，在90～110℃的条件下采用原子层沉积法在衬底上交替沉积制备HfO2激光薄膜和SiO2激光薄膜。制备方法简单，可控性强，制得的产品质量高。一种激光薄膜，由上述激光薄膜的制备方法制备而成。具有厚度小，高激光损伤阈值的特点。

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