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一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310202568.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423
  • 申请日期:
    2013-05-28
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件
申请号CN201310202568.7申请日期2013-05-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-09-25公开/公告号CN103325835A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院当前权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
发明人罗小蓉;罗尹春;范远航;徐青;魏杰;范叶;王骁玮;周坤;张彦辉;尹超;张波;李肇基
代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)代理人李顺德;王睿
摘要
一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件,属于功率半导体器件技术领域。这种JFPSOILDMOS器件采用PN结作为场板,并利用高K介质作为场板介质。一方面,结型场板的PN结电场调制器件表面电场,改善器件的电场分布,提高器件耐压;另一方面,在反向阻断状态时,结型场板辅助耗尽器件漂移区,使器件漂移区掺杂浓度大幅提高,从而降低导通电阻;高K介质用作场介质层,更有利于导通电阻和静态功耗的降低。与常规金属场板相比,结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷;与多晶电阻场板相比,结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。此外,本发明也与SOICMOS电路具有很好的兼容性。

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