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使用双向阈值开关来编程相变存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN201080059000.9
IPC分类号：G11C13/02;G11C16/34
申请日期：
2010-11-29
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用双向阈值开关来编程相变存储器
申请号	CN201080059000.9	申请日期	2010-11-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102754166A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器 G11C13/02 使用其操作取决于化学变化的存储元件的数字存储器（应用电化学变化的入G11C 11/00）	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	T·C·朗特里;R·多奇;H·卡斯特罗;D·考;S·唐;J·赫斯特
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	姜冰;李浩

摘要

一种使用双向阈值开关选择装置的相变存储器，可通过首先接通双向阈值开关而从一个状态被编程到另一个状态。在越过单元的电压已经下降后，可接着偏置该单元以将该单元编程到期望状态。

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