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延时锁定环路及具有该延时锁定环路的半导体存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510120321.6
  • IPC分类号:H03L7/08;G11C11/4076;G11C7/22
  • 申请日期:
    2005-11-08
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称延时锁定环路及具有该延时锁定环路的半导体存储器
申请号CN200510120321.6申请日期2005-11-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-07-12公开/公告号CN1801625
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03L7/08IPC分类号H;0;3;L;7;/;0;8;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;6;;;G;1;1;C;7;/;2;2查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人全英珍
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人蒲迈文;黄小临
摘要
在一延时锁定环路和一具有有它的半导体存储器中,延时锁定环路包括一鉴相和控制信号发生器,用于检测一时钟信号与一反馈时钟信号之间的相位差,并产生一随相位差变化的多位延时控制信号;一第一延时器,具有预定数目的第一延时单元,通过级联连接来延迟时钟信号,以响应于多位延时控制信号产生多个输出时钟信号和反馈时钟信号;一第二延时器,具有预定数目的第二延时单元,通过级联连接来延迟一反相时钟信号,以响应于多位延时控制信号产生多个反相输出时钟信号;以及一混相器,用于混合多个输出时钟信号和多个反相输出时钟信号中相应时钟信号的相位,以输出多个校正输出时钟信号。

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