用体系内自生的二硫化碳为其自燃发育与低温起燃的标识物

发明专利无效专利

申请号：
CN200810006933.6
IPC分类号：G01N21/00;G01N30/00
申请日期：
2008-01-25
申请人：
北京矿冶研究总院;维登科学仪器有限责任公司

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著录项信息

专利名称	用体系内自生的二硫化碳为其自燃发育与低温起燃的标识物
申请号	CN200810006933.6	申请日期	2008-01-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-29	公开/公告号	CN101493403
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先）	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;0;0;;;G;0;1;N;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	北京矿冶研究总院;维登科学仪器有限责任公司	申请人地址	北京市西城区西外文兴街1号;北京市西城区西外文兴街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京矿冶研究总院,维登科学仪器有限责任公司	当前权利人	北京矿冶研究总院,维登科学仪器有限责任公司
发明人	栾和林;李华昌;刘春;李继梅;陈昌;李斌;姚文;李胜;王增辉;乔宏伟;袁玉霞;冯先进;汤淑芳;于立;章连香;陈殿耿;刘春峰;轩小朋;王娉娉;李刚
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明是利用含硫化物易自燃体系内自生的二硫化碳作为其自燃发育的标识物。本发明的优点是：含硫化物易自燃体系内自生二硫化碳形成取决于多聚硫的形成的多少，碳、硫共存及相互作用的大小。即二硫化碳成因也是含硫化物易自燃体系自燃的成因，且自生二硫化碳往往是低温起燃的诱因。为此用易自燃体系自燃发育过程中自生的二硫化碳作为其自燃发育的标识物，可充分发映出其关键内因对自燃形成及低温起燃的作用，从而实现对含硫易自燃体系自燃发育与低温起燃的早期预报。且二硫化碳易挥发、易检出的特征，可使这类自燃早期防控与预警更简易化、仪器化。

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