半导体器件结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821453972.6
IPC分类号：H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/423
申请日期：
2018-09-06
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件结构
申请号	CN201821453972.6	申请日期	2018-09-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11521 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	佟婷婷

摘要

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，内形成有若干个有源区及隔离结构，每一有源区包括第一接触区及第二接触区，且有源区底内形成有若干个栅沟槽结构，以分离第一接触区与第二接触区，栅沟槽结构包括沟槽主体及连接于下方的微沟结构，且栅沟槽结构的深度小于隔离结构的深度；以及埋入式栅极字线结构，填充于栅沟槽结构中，埋入式栅极字线包括形成于栅沟槽结构内表面的栅介质层，以及填充于栅沟槽结构内栅电极层。本实用新型通过不同材料间的刻蚀选择比的不同形成特殊的微沟结构，简化制备工艺，提高制备精度，在保持原有器件尺寸的基础上，使沟道面积得以增加，可进一步增加传输通道的宽度，提高场效应晶体管的器件性能。

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