一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810601105.0
IPC分类号：C30B29/12;C30B11/00
申请日期：
2018-06-12
申请人：
山东大学

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专利名称	一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法
申请号	CN201810601105.0	申请日期	2018-06-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-17	公开/公告号	CN108411366A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/12 卤化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市历城区山大南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学	当前权利人	山东大学
发明人	张国栋;刘琳;张鹏;陶绪堂
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	杨磊

摘要

本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法，该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构；炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套，炉管和保温套之间设置有加热炉丝；支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转，长晶杆穿插设置在炉管中，长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿；支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度，又可随时监控晶体生长的状况。同时，通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。

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