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基于UV曝光形成取向膜区域的方法及系统

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110357645.7
  • IPC分类号:G02F1/1337;G03F7/20
  • 申请日期:
    2011-11-14
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称基于UV曝光形成取向膜区域的方法及系统
申请号CN201110357645.7申请日期2011-11-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-06-27公开/公告号CN102520551A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1337IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;3;7;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人宋玉
代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所代理人胡海国
摘要
本发明公开一种基于UV曝光形成取向膜区域的方法及系统,其方法包括:在基板上涂布PI液并形成取向膜,取向膜覆盖基板上预设的取向膜区域;将根据预设的取向膜区域制作的掩膜板设置于取向膜上,使掩膜板遮蔽预设的取向膜区域;通过UV光曝光剥离基板上位于预设的取向膜区域以外的取向膜;撤去掩膜板,在预设的取向膜区域留下取向膜。本发明可以有效改善现有的取向膜列印机根据设计的取向膜区域规则涂布取向膜,在形成取向膜区域时产生印刷偏移、锯齿状的边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷,提高了取向膜区域的定位精度以及取向膜的质量,进而提高液晶显示装置的图像质量特性。

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