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一种并联MOS管的均衡保护装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202122784428.8
  • IPC分类号:H02M1/088;H02M1/00;H02M1/32;H02M3/156
  • 申请日期:
    2021-11-15
  • 申请人:
    福建星云电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种并联MOS管的均衡保护装置
申请号CN202122784428.8申请日期2021-11-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/088IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;8;8;;;H;0;2;M;1;/;0;0;;;H;0;2;M;1;/;3;2;;;H;0;2;M;3;/;1;5;6查看分类表>
申请人福建星云电子股份有限公司申请人地址
福建省福州市马尾区快安马江大道石狮路6号1-4#楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福建星云电子股份有限公司当前权利人福建星云电子股份有限公司
发明人李有财;邓秉杰;孔腾;王伟平
代理机构福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本实用新型提供了MOS管保护技术领域的一种并联MOS管的均衡保护装置,包括一MOS开关电路、一取样电路、一控制比较电路、一驱动电路以及一限流电路;所述MOS开关电路的一端与驱动电路以及限流电路连接,另一端与取样电路连接;所述控制比较电路的一端与取样电路以及MOS开关电路连接,另一端与驱动电路连接。本实用新型的优点在于实现对并联的MOS管提供均衡保护,极大的提升了电路的安全性和稳定性,极大的降低了MOS管生产成本以及电路设计成本。

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