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一种沟槽DMOS器件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310014452.0
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
申请日期：
2013-01-15
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种沟槽DMOS器件及其制作方法
申请号	CN201310014452.0	申请日期	2013-01-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-16	公开/公告号	CN103928513A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	卞铮
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种沟槽型DMOS器件及其制作方法，该DMOS器件中将栅极沟槽从位于衬底上方的介质层中开始往衬底延伸，使得栅极多晶硅的有效截面积增加，从而减少了栅极电阻Rg。同时在本发明的制作方法中，由于在沟槽刻蚀之前就已经覆盖了介质层，因而取消了原先的源极注入工艺，转而将该源注入工艺和导电通孔在一次光刻中进行，减少了一步光刻，从而使得整个工艺更加简单。

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