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波导结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110260108.4
  • IPC分类号:G02B6/10;H04J14/02
  • 申请日期:
    2021-03-10
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称波导结构及其形成方法
申请号CN202110260108.4申请日期2021-03-10
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-26公开/公告号CN113703090A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/10IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;0;;;H;0;4;J;1;4;/;0;2查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人陈焕能;郭丰维;徐敏翔;卓联洲;周淳朴;廖文翔
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人李春秀
摘要
本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例,提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方,且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。

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